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Dow SiLK™ Y 120 Semiconductor Dielectric Resin

 

Material Notes:
SiLK™ Y 120 has an average pore size of < 2nm and a range of 1-3 nm, porous SiLK™ resins enables continuous Tantulum PVD barriers for 65 nm technology and beyond.

Information provided by Dow

Available Properties
  • Density
  • Thickness
  • Dielectric Constant
  • Dielectric Strength
  • CTE, linear 100°C
  • Decomposition Temperature
  • Refractive Index
  • Leakage Current A/cm², max
   
Property Data

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